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電源管理

驅(qū)動芯片在應用中的常見問題分析與解決

通信電源PSU在通訊設備中擔任著很重要的角色，PSU問題將會導致整個通訊設備無法正常運作。常見的通信電源PSU拓撲有橋式、推挽以及正在興起的非隔離IBB架構。所有這些應用場景都離不開驅(qū)動芯片。在驅(qū)動芯片的應用過程中，常見的兩類問題是異常丟波現(xiàn)象以及輸出通道的誤脈沖，他們會隨著芯片、系統(tǒng)設...

2023-01-30

驅(qū)動芯片常見問題

BQ25798+TPS25221鋰電池和超級電容充電方案

近年來，為了方便使用，隨著越來越多的工具均采用無線化設計。因此，儲能元件的需求也與日俱增。在一些應用比如掃碼槍中，會有越來越來越多的客戶考慮采用電池或者超級電容作為儲能元件，鋰電池和超級電容的儲能原理不同，相應的充電放電曲線也不相同，本文基于TI的BQ25798+TPS25221提出了一種能夠...

2023-01-30

鋰電池超級電容充電方案

基于MPY634的有效值電路設計

MPY634是一款寬帶寬、高精度、四象限模擬乘法器。其精確的激光微調(diào)特性使其易于在各種應用中使用。它的差分X，Y和Z輸入使其在保持高精度的同時可以進行乘法、除法、開方等多種運算。精確的內(nèi)部電壓參考可精確設置比例因數(shù)。

2023-01-30

模擬乘法器有效值電路設計

如何解決汽車大功率集成磁元件的散熱難題？

本文將重點討論普萊默在3DPower?散熱技術方面取得的進步。磁集成的最大優(yōu)點是同一元件的體積比離散方案的小。但增加功率密度會導致部件溫度升高。

2023-01-29

電動汽車磁元件散熱

通過柵極驅(qū)動器提高開關電源功率密度

像許多電子領域一樣，進步持續(xù)發(fā)生。目前，在 3.3kW 開關電源 (SMPS)中，產(chǎn)品效率高達 98%，1U結(jié)構尺寸，其功率密度可達 100 W/in3。這之所以可以實現(xiàn)是因為我們在圖騰柱 PFC 級中明智地選擇了超結(jié) (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且還采用了氮化鎵 (...

2023-01-29

柵極驅(qū)動器開關電源功率密度

BMS與新型電池技術化解“里程焦慮”

新能源汽車市場爆發(fā)，但“里程焦慮”始終是困擾車主的最大問題之一，其具體表現(xiàn)為續(xù)航虛標、充電速度慢以及冬季里程縮水等。在國內(nèi)，從2014/2015年開始，新能源汽車產(chǎn)業(yè)進入高速發(fā)展期。解決里程焦慮是產(chǎn)業(yè)主要的發(fā)展目標之一，隨著充電樁、換電站等基礎設施不斷完善，消費者對新能源汽車的接受度不斷...

2023-01-28

BMS 電池技術

優(yōu)化汽車應用的駕駛循環(huán)仿真

碳化硅（SiC）已經(jīng)改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動汽車（EV）充電和車載功率轉(zhuǎn)換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對 Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準確的預測性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓撲、系統(tǒng)和應用。

2023-01-28

汽車應用功率模塊仿真

SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？

眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙嚒Ｔ诠杌a(chǎn)品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC ...

2023-01-27

SiC MOSFET 溝槽柵

簡化隔離式軟件可配置I/O通道設計的高集成度、系統(tǒng)級方法

本文介紹一種軟件可配置輸入/輸出(I/O)器件及其專用隔離電源和數(shù)據(jù)解決方案，該解決方案有助于應對系統(tǒng)級工業(yè)應用的設計挑戰(zhàn)。本文闡述了在設計單個IC時從系統(tǒng)級角度進行思考的優(yōu)勢，并重點討論了建議解決方案的功耗優(yōu)化功能。

2023-01-27

I/O 隔離電源 ADI

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