SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動作成為可能。但是，由于開關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電...
2023-02-06
碳化硅 MOSFET 尖峰
存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，在當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時(shí)代，存儲器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計(jì)，自2019年以來，存儲器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè)，總體市場空間從2019年的1110億美元將增長至2025年的1850億美元。細(xì)分市場中，以FeRAM（鐵電存儲）和ReRAM...
智能制造 新能源汽車 FeRAM
在相當(dāng)長的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢。
2023-02-03
碳化硅 電氣化 趨勢
目前我們的手機(jī)、筆記本電腦和電動汽車的電池都有一個(gè)主要缺點(diǎn)：它們都依賴于鈷。鈷是一種很難找到的金屬，主要來自非洲的礦山，鈷的采集對于當(dāng)?shù)丨h(huán)境和礦工來說都存在著不少問題。
無鈷鋰離子電池 正極
隨著電動汽車 (EV) 日益流行，如何在反映真實(shí)續(xù)航里程的同時(shí)讓汽車更加經(jīng)濟(jì)實(shí)惠，成為汽車制造商面臨的挑戰(zhàn)之一。首先，這意味著需要降低電池包成本并提高其能量密度。電芯中存儲和消耗的每瓦時(shí)能量都對延長續(xù)航里程至關(guān)重要。
電動汽車 電池管理系統(tǒng) 電池接線盒
市場上有數(shù)千款不同的開關(guān)穩(wěn)壓器，用戶會基于不同的參數(shù)選擇所需的類型，例如輸入電壓范圍、輸出電壓范圍、最大輸出電流，以及許多其他參數(shù)。本文ADI將針對電流模式進(jìn)行介紹，這是數(shù)據(jù)手冊中常見的一項(xiàng)重要特性，同時(shí)還會分析此模式的優(yōu)缺點(diǎn)。
2023-02-01
開關(guān)穩(wěn)壓器 電流模式
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)宣布與德國大眾汽車集團(tuán) (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團(tuán)的下一代平臺系列提供模塊和半導(dǎo)體器件，以實(shí)現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型...
安森美 大眾汽車 SiC技術(shù)
有經(jīng)驗(yàn)的工程師都知道，系統(tǒng)最危險(xiǎn)的時(shí)刻之一是通電的時(shí)候。根據(jù)時(shí)間常數(shù)以及電源軌達(dá)到標(biāo)稱值的順利程度和速度，不同的 IC 和系統(tǒng)零件可能會開啟、鎖定或以不正確的模式開啟，因?yàn)檫@些器件試圖相互配合工作。面臨的更大挑戰(zhàn)是，上電時(shí)與時(shí)序和壓擺率相關(guān)的 IC 性能可能是溫度、相關(guān)電容器、機(jī)械應(yīng)...
低電壓上電 毛刺 IC
前述文章，BUCK功率級電路頻域計(jì)算及仿真 ，討論了電壓模式BUCK電路的功率級電路計(jì)算及仿真，并進(jìn)行了頻域的閉環(huán)設(shè)計(jì)。由于峰值電流模式相比電壓模式具有不少優(yōu)點(diǎn)，所以應(yīng)用也很廣泛，本文就對峰值電流模式控制BUCK功率級電路做一些詳細(xì)分析計(jì)算和仿真。
峰值電流 BUCK電路 電路計(jì)算
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