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能源電力

降壓轉(zhuǎn)換器電流取樣電阻三種位置的選擇

本文介紹了電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的電流取樣電阻放置的三種位置，即輸入端、輸出端及續(xù)流管，同時詳細地說明了這三種位置各自的優(yōu)點及缺點，還闡述了由此而產(chǎn)生的峰值電流模式和谷點電流模式的工作原理，以及它們各自的工作特性。本文也給出了使用高端主開關管導通電阻、低端同步開關管導通電阻，以及...

2009-10-26

降壓轉(zhuǎn)換器峰值電流模式谷點電流模式

基于Buck變換器的LED驅(qū)動器反饋環(huán)路設計及測試

本文討論了基于Buck變換器的LED驅(qū)動器與常規(guī)的Buck變換器的設計差異，介紹了這種LED驅(qū)動器高端電流取樣和低端電流取樣各自的優(yōu)缺點，然后闡述了AOZ0181的工作特性，同時介紹了AOZ0181反饋環(huán)路的設計過程。最后，分析了不能直接測量Buck型LED驅(qū)動器增益裕量和相位裕量的原因，并給出了通過增加一個電...

2009-10-26

Buck變換器 LED 增益裕量相位裕量電壓跟隨器

使用自鉗位MOSFET設計電動工具控制器

本文介紹了電動工具控制器的工作原理，詳細的分析了電動工具中MOSFET的功率損耗以及線路引線電感對MOSFET開關波形的影響，同時，介紹了自鉗位MOSFET的工作特性以及在設計電動工具驅(qū)動電路時應注意的問題，并給出了使用自鉗位MOSFET設計的電動工具控制器的工作波形和測試結(jié)果。

2009-10-26

電動工具自鉗位MOSFET 驅(qū)動

理解功率MOSFET的開關損耗

本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相對應的Qg，Qds和Qgs在開關過程中對開關損耗的影響?；谠诶硐霠顟B(tài)下，用工程簡化方式計算出MOSFET在開關過程中不同階段的開關損耗，并分析出Crss及相對應的Qgd對于MOSFET管的開關損耗起主導作用。然后，論述了在實際狀態(tài)下，Coss對開通和關斷過程...

2009-10-26

米勒電容開關損耗零電壓開關

基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設計優(yōu)化的驅(qū)動電路

功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優(yōu)點，因此在開關電源，馬達控制等電子系統(tǒng)中的應用越來越廣。通常在實際的設計過程中，電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關注，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產(chǎn)生一定...

2009-10-26

MOSFET 驅(qū)動電路

電動車無刷電機超靜音控制器設計</br>----基于高速A/D實現(xiàn)精準電流補償

電動車無刷電機超靜音控制器設計
----基于高速A/D實現(xiàn)精準電流補償

本文根據(jù)直流永磁無刷電動機的轉(zhuǎn)矩特性，分析了在電機運行中產(chǎn)生脈動轉(zhuǎn)矩的原因，并針對換相電流引起轉(zhuǎn)矩脈動進行了優(yōu)化設計，在實際應用中取得了較好的效果。

2009-10-26

直流永磁無刷電機轉(zhuǎn)矩脈動電流補償

帶有內(nèi)置ESD保護的MOSFET

CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強模式MOSFET，帶有內(nèi)置的2kV ESD保護。它帶有兩個獨立的50V，280mA的MOSFET，在每個器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導通電阻RDS(on)在50mA，1.8V時是3.0歐姆

2009-10-26

CMLDM7003 MOSFET ESD保護

CTLSH1-40M563 ：Central Semiconductor推出低正向壓降整流器

Central Semiconductor推出功耗達500mW的低正向壓降整流器

2009-10-26

整流器 Central Semiconductor CTLSH1-40M563 TLM563

LED產(chǎn)品“價高和寡”　中國LED產(chǎn)業(yè)正蹣跚起步

LED的燈具售價“曲高和寡”。燈具城中LED燈帶的批發(fā)價要6元/米，一些商鋪還能開出8~10元/米；同樣長度的普通燈帶只有每米2.5元。12粒的LED燈杯售價是15元/個，其他鹵素型燈杯只有5元左右。

2009-10-26

LED

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