X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。

2023-06-05

SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和質量要求

在 SiC 方面，GeneSiC 使用溝槽輔助平面柵極工藝流程，確?？煽康臇艠O氧化物和具有較低傳導損耗的器件。測試表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 轉換器應用中，溫度較低的器件運行溫度約為 25°C。據(jù)估計，這種溫差可將器件壽命提高 3 倍。該公司對其 SiC 產品進行了 100% 的雪崩測試，其示例如圖 3 所示。

2023-05-31

為什么穩(wěn)定的開關模式電源仍會產生振蕩？

非常穩(wěn)定的開關模式電源(SMPS)仍可能由于其在輸出端的負電阻而產生振蕩。在輸入端，可以將SMPS看作一個小信號負電阻。其與輸入電感和輸入端電容一起可形成一個無阻尼振蕩電路。本文將就這一問題的分析和解決方案進行探討。將 LTspice? 用于仿真。

2023-05-29

使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的IC控制電路設計

之前我們介紹過快速設計由 NCP1623 驅動的 CrM/DCM PFC 級的關鍵步驟中的定義關鍵規(guī)格與功率級設計。本文將詳細說明IC控制電路設計中的細節(jié)：FB引腳電路、VCTRL 引腳電路、CS/ZCD 引腳電路、CSZCD電阻器設計等內容。

2023-05-25

【CMOS邏輯IC基礎知識】—解密組合邏輯背后的強大用途?。ㄉ希?/a>

現(xiàn)代電源開關在的電流檢測中歸零

STMicroelectronics 近推出了新一代汽車智能開關，使用內部 A/D 轉換器提供有關負載電流的數(shù)字信息。在本文中，我們將探討具有電流感應功能的電源開關的必要性，并了解現(xiàn)代開關如何實現(xiàn)此功能。

2023-05-25

櫛風沐雨50載！貿澤電子慶祝全球總裁兼首席執(zhí)行官Glenn Smith服務50周年里程碑

2023年5月25日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 隆重宣布貿澤電子全球總裁兼首席執(zhí)行官Glenn Smith先生任職50周年里程碑, 半個世紀的努力，帶領貿澤跨越發(fā)展，并將攜手大家迎接下一個全新挑戰(zhàn)。

2023-05-25

拿什么追趕英偉達、AMD？“AI芯片大戰(zhàn)”最新進展

未來國產廠商有望在ASIC領域繼續(xù)保持技術優(yōu)勢，突破國外廠商在AI芯片的壟斷格局。

2023-05-24

采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機

近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。

2023-05-23

如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？

要能快速高效地為電動車更大的電池充電，電動車才能在市場普及并發(fā)展。2021 年，市場上排名前 12 位的電動汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進行充電。為確保合理的車輛充電時間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時，這些電動汽車需要 12.1 小時才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時間縮短至 7.3 小時，而使用 22 kW OBC 時，只需 3.6 小時即可充滿電。

2023-05-23

賓夕法尼亞州立大學與安森美簽署諒解備忘錄以推動碳化硅研究

2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學與智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開展一項總額達 800 萬美元的戰(zhàn)略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學材料研究所 (MRI) 開設安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬美元的資金。

2023-05-19

貿澤電子第九次榮獲TE Connectivity年度全球卓越服務代理商獎

2023年5月19日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布第九次榮獲全球連接器和傳感器知名供應商TE Connectivity (TE) 頒發(fā)的年度全球卓越服務代理商獎。此項大獎肯定了貿澤電子2022年在銷量增長、市場份額增長、客戶增長以及在商業(yè)推廣計劃方面的杰出表現(xiàn)。

2023-05-19