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巧用降壓芯片生成負(fù)電壓及Vishay功率IC產(chǎn)品介紹
電子電路中負(fù)電壓需求有幾種，一種是隔離式的負(fù)電壓，在電力、通訊等對(duì)抗干擾性能要求較高的場(chǎng)合，需要隔離前端電源輸入的干擾，這個(gè)時(shí)候可以基于變壓器添加繞組來(lái)產(chǎn)生負(fù)電壓，或者也可以采用隔離式的電源模塊輸出負(fù)電壓給系統(tǒng)供電。另一種是非隔離式的負(fù)電壓，通過(guò)正輸入電壓，使用Charge Pump, Buck-Boost, Buck, Sepic 等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電壓芯片等來(lái)產(chǎn)生負(fù)電源。
2023-09-26
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革命性醫(yī)療成像 imec用非侵入超音波監(jiān)測(cè)心臟
比利時(shí)微電子研究中心（imec）的研究人員，推出為超音波成像應(yīng)用所開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新第二代壓電式微機(jī)械超音波換能器（PMUT）數(shù)組。該數(shù)組具備一層氮化鋁鈧（AlScN）壓電層，在水中實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的影像擷取，波束控制深度達(dá)到10cm。此次取得的技術(shù)突破為曲面感測(cè)、革命性醫(yī)療成像及監(jiān)測(cè)這類(lèi)復(fù)雜的超音波應(yīng)用提供了發(fā)展條件。近期imec攜手其衍生新創(chuàng)Pulsify Medical，一同推動(dòng)心臟監(jiān)測(cè)技術(shù)朝向非侵入式且無(wú)需醫(yī)師操作的方向發(fā)展。
2023-09-26
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選擇正確的電源 IC
電源IC是電源設(shè)計(jì)中必不可少的部件。本教程將提供為給定應(yīng)用選擇適當(dāng) IC 的步驟。它區(qū)分了三種常見(jiàn)的由直流電壓供電的電源 IC：線(xiàn)性穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和電荷泵。還提供了更的教程和主題的鏈接。
2023-09-24
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SiC優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及加速向脫碳方向發(fā)展
如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來(lái)，一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱(chēng)為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。
2023-09-24
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LED 和檢測(cè)器 IC 的熱阻測(cè)量
該封裝安裝在低電導(dǎo)率測(cè)試板上，根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，該測(cè)試板的尺寸為 76.2 mm x 76.2 mm。包相對(duì)居中?？偣矞?zhǔn)備了兩個(gè)低電導(dǎo)率板用于測(cè)量。這些測(cè)試板由 FR-4 材料制成，銅跡線(xiàn)厚度符合低電導(dǎo)率板的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。所有板上都使用了經(jīng)過(guò)測(cè)試的“良好”設(shè)備。所有熱阻測(cè)量數(shù)據(jù)列于圖 2 中。
2023-09-23
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電機(jī)和碳化硅在商用車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
本文將從二氧化碳減排、未來(lái)動(dòng)力總成的技術(shù)驅(qū)動(dòng)因素等角度對(duì)商用車(chē)進(jìn)行討論，并探討了基于碳化硅（SiC）的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件，這些器件可以實(shí)現(xiàn)外形更小、效率更高和功能更強(qiáng)大的轉(zhuǎn)換器。在商用車(chē)領(lǐng)域，與乘用車(chē)相比，由于驅(qū)動(dòng)架構(gòu)不同，這個(gè)領(lǐng)域并沒(méi)有一個(gè)通用的解決方案適用于所有情況。
2023-09-22
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貿(mào)澤電子供應(yīng)豐富多樣的u-blox連接和定位產(chǎn)品
2023年9月22日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應(yīng)業(yè)界知名定位和無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)制造商u-blox的廣泛產(chǎn)品組合。貿(mào)澤通過(guò)與u-blox建立的全球授權(quán)代理合作關(guān)系，為客戶(hù)在汽車(chē)、工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域的設(shè)計(jì)流程提供支持。
2023-09-22
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重磅！國(guó)產(chǎn)碳化硅設(shè)備再獲佳績(jī)
近日，國(guó)產(chǎn)SiC設(shè)備又傳來(lái)了振奮人心的消息：北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機(jī)實(shí)現(xiàn)了6/8英寸大尺寸和新工藝路線(xiàn)匹配的雙技術(shù)突破。
2023-09-21
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實(shí)施混合式數(shù)據(jù)分析平臺(tái)的三個(gè)步驟
過(guò)去八年間，數(shù)據(jù)中臺(tái)及其“統(tǒng)一數(shù)據(jù)、統(tǒng)一服務(wù)、統(tǒng)一身份（One data, one service, one ID）”理念的廣泛采用，推動(dòng)了中心化數(shù)據(jù)平臺(tái)和職責(zé)的普及。2023年Gartner中國(guó)CIO調(diào)研顯示，80%的中國(guó)受訪者依賴(lài)中心化IT部門(mén)來(lái)提供IT架構(gòu)能力、數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)安全標(biāo)準(zhǔn)和政策。
2023-09-21
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硅基氮化鎵在射頻市場(chǎng)的應(yīng)用日益廣泛
氮化鎵技術(shù)將繼續(xù)在國(guó)防和電信市場(chǎng)提供高性能和高效率。射頻應(yīng)用目前主要是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能影響未來(lái)的電信技術(shù)。
2023-09-21
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長(zhǎng)電科技鄭力：高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動(dòng)微系統(tǒng)集成變革
第24屆電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議(ICEPT2023)于近日在新疆召開(kāi),來(lái)自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專(zhuān)家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂,共話(huà)先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國(guó)際合作。長(zhǎng)電科技董事、首席執(zhí)行長(zhǎng)鄭力出席會(huì)議,發(fā)表《高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動(dòng)微系統(tǒng)集成變革》主題演講。
2023-09-21
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AMD蘇姿豐：AI對(duì)未來(lái)芯片設(shè)計(jì)十分重要，已列為戰(zhàn)略重點(diǎn)
據(jù)wccftech消息，AMD CEO蘇姿豐參加了在上海舉行的2023世界人工智能大會(huì)（WAIC），她在大會(huì)上表示，人工智能技術(shù)是未來(lái)芯片開(kāi)發(fā)的發(fā)展方向，可以在測(cè)試和驗(yàn)證階段提供幫助。
2023-09-21
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