本文為您介紹選擇具體變壓器所需的一些步驟,以及如何設(shè)計(jì)一種能夠滿足終端應(yīng)用抗變壓器飽和需求的電路。我們使用的模型為功率因數(shù)校正 (PFC) 拓?fù)洹7治鲋袑⑹褂靡环N商用電流檢測(cè)變壓器,用于確定需要的參數(shù),了解如何利用這種信息設(shè)計(jì)一種可抗飽和的電路。
2012-12-07
變壓器 飽和需求
Vishay發(fā)布采用SlimSMA封裝的新款45V TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器,高電流密度的器件具有5A正向電流和低至0.37V的VF??稍谥悄苁謾C(jī)充電器等空間受限應(yīng)用的極性保護(hù)中減少功率損耗,并提高效率。
整流器 智能手機(jī) Vishay
雖然MOSFET的芯片和封裝不斷改進(jìn),但是它們是否能有效的應(yīng)用于電源產(chǎn)品依然面臨著不小的挑戰(zhàn)。除了器件結(jié)構(gòu)和加工工藝,MOSFET的性能還受其他幾個(gè)周圍相關(guān)因素的影響:如封裝阻抗、印刷電路板(PCB)布局、互連線寄生效應(yīng)和開關(guān)速度等。
MOSFET 芯片 封裝 PCB
以智能手機(jī)、平板電腦為代表的便攜式電子設(shè)備正以顯著的速度發(fā)展著。便攜式電子設(shè)備的多功能化、高性能化及其便利性使我們使用的機(jī)會(huì)增加,也增加了使用時(shí)間。同時(shí),高性能化也增加了電力的消耗。但是如果電池被大容量化,就會(huì)占據(jù)很大的體積和重量。因此,便攜式電子設(shè)備中使用的電池要求具備大容...
2012-12-06
智能手機(jī) 電池 電氣雙層電容
本文主要講解的是肖特基二極管在電源管理方面的應(yīng)用分析。一般電路都會(huì)用到非同步直流/直流轉(zhuǎn)換器,而它要用到一個(gè)續(xù)流的二極管,通常選用的是正向電壓的肖特基管。本文探討如何正確的選擇二極管在電源管理應(yīng)用中的參數(shù),和如何用這些參數(shù)快速選型。
電源管理 肖特基二極管
村田制作所開發(fā)出了可大幅提高整個(gè)系統(tǒng)電力傳輸效率(以下稱電力效率)的無(wú)線供電技術(shù)。由直流電源經(jīng)無(wú)線區(qū)間到達(dá)負(fù)載的電力效率比原來(lái)的技術(shù)提高了20~30個(gè)百分點(diǎn)。例如,從直流電源將功率約為75W的直流電供應(yīng)到幾十厘米遠(yuǎn)的負(fù)載時(shí),最高能以70%以上的電力效率傳輸。
村田 無(wú)線供電 傳輸效率
ADI推出同類產(chǎn)品中效率最高的開關(guān)穩(wěn)壓器,采用緊湊型4 mm x 4 mm 24引腳LFCSP封裝,可在-40攝氏度至+125攝氏度結(jié)溫范圍內(nèi)工作,效率配置針對(duì)低占空比操作進(jìn)行了優(yōu)化,峰值效率高達(dá)95%。
開關(guān)穩(wěn)壓器 ADI 效率
IR 推出StrongIRFET功率MOSFET系列,適合要求超低導(dǎo)通電阻的工業(yè)應(yīng)用。新器件除了具備超低的導(dǎo)通電阻,其高電流額定值更有助于提升系統(tǒng)的可靠性。若用其取代效能較低的器件,更可節(jié)省器件數(shù)量。
2012-12-05
mosfet IR 導(dǎo)通電阻
飛兆半導(dǎo)體的40V PowerTrench MOSFET,在動(dòng)力轉(zhuǎn)向應(yīng)用中的功率控制更強(qiáng)、效率更高,該器件具有最低的導(dǎo)通電阻和較低的柵極電荷,可降低功耗,因此非常適合電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動(dòng)系管理等應(yīng)用。
mosfet 飛兆 導(dǎo)通電阻
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