負(fù)反饋什么時候會變成正反饋?當(dāng)控制工程師想要實現(xiàn)不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計人員提供理想性能和多種器件選擇,同時支持更高的設(shè)計靈活性,從而實現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計。
2023-07-24
SiC FET 正反饋
6月17日,在廣州南沙召開的第二屆中國?南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇(2023 IC NANSHA)上,國內(nèi)IDM大廠華潤微(SH688396)總裁李虹在演講中表示,中國半導(dǎo)體市場規(guī)模在過去的一年當(dāng)中,增速弱于全球,呈現(xiàn)周期性衰退,但下滑趨勢有到底跡象。
華潤微 中國半導(dǎo)體 市場下滑
本文介紹了一個簡單的無變壓器 1.5V DC電源電路,可用于直接從市電為掛鐘供電,并且還可以保持備用電池充滿電,即使在市電故障期間也能實現(xiàn)時鐘的不間斷運(yùn)行。
2023-07-22
無變壓器 DC電源電路
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器,內(nèi)置電流隔離功能,用于在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括:互補(bǔ)輸入(IN+ 和 IN-),開漏故障(1686908889869977.png)和就緒 (RDY) 輸出,復(fù)位或清除故障功能(1686908875512772.png),有源米勒箝位 (CLAMP),去飽和保護(hù) (DESAT),去飽和...
2023-07-21
柵極驅(qū)動器 設(shè)計技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器,內(nèi)置電流隔離功能,用于在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負(fù)偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結(jié)溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護(hù)和軟關(guān)斷(ST...
柵極驅(qū)動器 電路設(shè)計
如今,電動汽車上使用的高壓電池都提供了最大的安全性和使用壽命。如果您還在因為擔(dān)心電池的安全性而猶豫是否將燃油動力汽車換成電動汽車 (EV),那就盡管放心!據(jù)多家媒體的報道,很多人都非常關(guān)注電動汽車及其高壓電池的危險性。其實高壓電池在正常的操作條件下使用是非常安全的,出現(xiàn)的問題也相對...
2023-07-20
高壓電池 電動汽車 安全 電池
IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn),并且有三個端子:一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言,該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
IGBT 柵極驅(qū)動 注意事項
電源與地之間接電容的原因有兩個作用,儲能和旁路儲能:電路的耗電有時候大,有時候小,當(dāng)耗電突然增大的時候如果沒有電容,電源電壓會被拉低,產(chǎn)生噪聲,振鈴,嚴(yán)重會導(dǎo)致 CPU 重啟,這時候大容量的電容可以暫時把儲存的電能釋放出來,穩(wěn)定電源電壓,就像河流和水庫的關(guān)系旁路:電路電流很多時候有...
2023-07-19
VCC GND 電容
碳化硅(SiC)技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等技術(shù)具有更多優(yōu)勢,包括更高的開關(guān)頻率,更低的工作溫度,更高的電流和電壓容量,以及更低的損耗,進(jìn)而可以實現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)(ESS)上的應(yīng)用,以及由Wolfspeed推出的S...
碳化硅 發(fā)展趨勢 儲能系統(tǒng)
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