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2009年是電視產(chǎn)業(yè)最困難一年 國產(chǎn)平板求生存
金融危機(jī)究竟對電視產(chǎn)業(yè)有多大的影響？從Display Search的報(bào)告可見一斑，該調(diào)研機(jī)構(gòu)日前發(fā)布報(bào)告預(yù)測2009年全球液晶電視市場的銷售收入將首現(xiàn)負(fù)增長。在出口受限、國家政策積極拉動內(nèi)需的大環(huán)境下，國產(chǎn)平板電視企業(yè)也在苦思生存之道。
2008-12-30
液晶電視 LED技術(shù) 240赫茲技術(shù) 節(jié)能環(huán)保 多媒體 家電下鄉(xiāng)
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RK系列：泰科電子便攜應(yīng)用電源濾波器
近日，泰科電子面向全球市場推出一套緊湊式的RK系列基座型電源濾波器。面對目前濾波器制造業(yè)多品種，小批量的趨勢，泰科電子PK系列基座型電源濾波器具備先進(jìn)的工程技術(shù)，體現(xiàn)全新的創(chuàng)新理念，不僅滿足了客戶對產(chǎn)品質(zhì)量及性能的需求，同時(shí)還以其廣泛的適用性為業(yè)內(nèi)樹立了新的研發(fā)標(biāo)準(zhǔn)。
2008-12-30
RK系列 電源濾波器 濾波器
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KMD2:ROHM最新開發(fā)的二極管用大功率封裝
半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社為滿足便攜式音頻播放器、游戲機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等對小型化、薄型化要求高的便攜式機(jī)器市場的需要，開發(fā)出屬于業(yè)界超小級別的二極管封裝KMD2(1608規(guī)格尺寸)。按照計(jì)劃，采用這種封裝的肖特基勢壘二極管將從2008年12月開始逐步供應(yīng)樣。
2008-12-29
肖特基勢壘二極管 KMD2 二極管 GMD2 齊納二極管
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EMIF02-SPK02F2：ST手機(jī)應(yīng)用微型濾波器
到2010年，超過75%的新手機(jī)將具有MP3音樂播放功能。隨著音樂手機(jī)普及，音頻性能成為設(shè)計(jì)者的關(guān)注焦點(diǎn)。新手機(jī)設(shè)計(jì)將更要求改進(jìn)降噪性能，意法半導(dǎo)體針對新的市場需求，推出全新濾波器EMIF02-SPK02F2。
2008-12-26
EMIF02-SPK02F2 干擾噪聲 濾波器 TDMA 分立器件 EMI
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東芝擬斥資3.3億美元新建鋰電池廠
據(jù)國外媒體報(bào)道，東芝近日透露，將在日本新潟縣柏崎市新建一座可快速充電的新型鋰離子電池工廠。東芝計(jì)劃斥資約300億日元(約合3.3億美元)，工廠最早于明年動工。
2008-12-26
鋰離子電池 電動汽車 半導(dǎo)體 SCiB 電池
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鑫陽電子自主研發(fā)助企業(yè)渡難關(guān)
鑫陽電子加快產(chǎn)品的研發(fā)力度助企業(yè)渡難關(guān)
2008-12-25
鑫陽電子 電冰箱 啟動運(yùn)轉(zhuǎn) 專用電容器
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博世投資5億3000萬歐元將太陽能電池產(chǎn)能增至3倍
德國博世集團(tuán)宣布，將增強(qiáng)旗下德國ersol Solar Energy AG的結(jié)晶太陽能電池和太陽能電池模塊的產(chǎn)能。將擴(kuò)充位于德國圖林根州阿恩施塔特太陽能電池工廠的規(guī)模。投資總額約為5億3000萬歐元。將在目前至2012年間投資。此次擴(kuò)充將使ersol Solar Energy的產(chǎn)能擴(kuò)大到將近目前的3倍——約630MW。預(yù)定2010年初...
2008-12-25
太陽能電池 博世 新能源
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松下和三洋電機(jī)宣布資金及業(yè)務(wù)全面合作
松下和三洋電機(jī)08年12月19日就資本及業(yè)務(wù)合作舉行了緊急新聞發(fā)布會。雙方此前于08年11月7日宣布開始協(xié)商資本及業(yè)務(wù)合作。松下代表董事社長大坪文雄強(qiáng)強(qiáng)調(diào)了此次資本及業(yè)務(wù)合作的意義：“伴隨新興市場國家的重要性日趨提高，產(chǎn)品均價(jià)開始下滑，同時(shí)又出現(xiàn)了源自金融危機(jī)的行業(yè)低迷，因此希望通過與三...
2008-12-24
燃料電池 太陽能電池 鋰離子充電電池 家電 鎳氫充電電池 混合動力車 醫(yī)療電子 新能源
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低導(dǎo)通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2008-12-24
Si7633DP Si7135DP MOSFET 超低導(dǎo)通電阻
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