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EP亮相慕尼黑上海電子展
慕尼黑上海電子展由electronica China和Productronica China組成，全面展示電子產(chǎn)業(yè)鏈，服務(wù)于快速增長(zhǎng)的中國(guó)及亞太市場(chǎng)的專業(yè)性展會(huì)，展會(huì)在高挑寬敞，設(shè)施先進(jìn)，配備齊全，能滿足各類展覽會(huì)的要求，最具現(xiàn)代藝術(shù)性的展覽場(chǎng)館舉辦。
2012-06-29
EP亮相慕尼黑上海電子展
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EP亮相第五屆綠色節(jié)能建筑建材展覽會(huì)
第五屆綠色節(jié)能建筑建材展覽會(huì)，集中展示現(xiàn)階段節(jié)能照明、LED行業(yè)各領(lǐng)域的產(chǎn)品、技術(shù)、材料、設(shè)備等。
2012-06-29
EP亮相第五屆綠色節(jié)能建筑建材展覽會(huì)
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EP亮相2012.4.10-12日中國(guó)LED展?深圳
：“2012中國(guó)LED展?深圳”與“第79屆中國(guó)電子展、中國(guó)消費(fèi)電子展”實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)資源整合、超大規(guī)模、同期展出。“中國(guó)LED展”展示行業(yè)中的最新技術(shù)、新材料、新工藝、新產(chǎn)品，全面呈現(xiàn)當(dāng)今國(guó)際最新產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)及發(fā)展趨勢(shì)，為參展商尋求合作、推廣品牌、拓展市場(chǎng)提供絕佳的平臺(tái)！
2012-06-29
EP亮相2012中國(guó)LED展?深圳
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EP亮相2012第八屆北京國(guó)際LED展覽會(huì)
展會(huì)信息：本屆展會(huì)是由中國(guó)電子商會(huì)、全國(guó)高科技企業(yè)發(fā)展LED專委會(huì)、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)、中國(guó)OLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦的“2012北京國(guó)際OLED展覽會(huì)”， 共有223家全球電子企業(yè)參展，展會(huì)規(guī)模13,000平方米。參加此次展會(huì)主要有漢維通信、三星電子、等知名企業(yè)。同時(shí)此次展會(huì)“2012北京國(guó)際OLED展覽...
2012-06-28
2012第八屆北京國(guó)際LED展覽會(huì)
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Molex為第二代Intel Core CPU提供LGA 1155插座組件
Molex公司現(xiàn)提供觸點(diǎn)陣列封裝(LGA)1155 Intel CPU插座組件。這兩款插座使用高強(qiáng)度銅合金作為基板接觸材料，確保與其各自的LGA觸點(diǎn)封裝實(shí)現(xiàn)可靠的物理接觸，這兩款插座經(jīng)設(shè)計(jì)可以經(jīng)受典型的回流焊條件。
2012-06-27
CPU插座 LGA 1155 Core Molex
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羅姆新款用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率MOSFET實(shí)現(xiàn)FOM降低50%
羅姆面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。FOM與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比降低了50％，實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和高頻下更低的電力損耗，并采用小型封裝，有助于更加節(jié)省空間。
2012-06-22
DC/DC轉(zhuǎn)換器 功率MOSFET FOM 羅姆
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陶瓷晶片保險(xiǎn)絲可充份滿足光電產(chǎn)品對(duì)于高功率零組件與微型化之需求
基于加強(qiáng)與客戶合作互惠、共同成長(zhǎng)的企業(yè)經(jīng)營(yíng)理念，以及擴(kuò)大公司未來營(yíng)收的想法，全臺(tái)規(guī)模第一，在家電與IT產(chǎn)品專業(yè)保險(xiǎn)絲制造服務(wù)領(lǐng)域深耕長(zhǎng)達(dá)30余年的功得電子，在近兩年來也積極配合業(yè)者開拓光電新產(chǎn)品的腳步，開始研發(fā)與制造可滿足各式LED光電產(chǎn)品應(yīng)用需求的專業(yè)級(jí)保險(xiǎn)絲，其相關(guān)成果與后續(xù)各項(xiàng)...
2012-06-12
陶瓷晶片保險(xiǎn)絲 功得電子
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Vishay推出小尺寸反射光傳感器 探測(cè)距離0.2mm至5mm
Vishay宣布推出采用小型SMD封裝并帶有晶體管輸出的反射光傳感器TCNT2000。TCNT2000使用了940nm發(fā)射器芯片，探測(cè)距離0.2mm～5mm，典型CTR為4%，超過同類器件2倍。借助高CTR，器件使設(shè)計(jì)者能夠增加探測(cè)距離，或是用更低的電流驅(qū)動(dòng)器件。
2012-06-08
反射光傳感器 TCNT2000 Vishay
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KEMET新款高容積率端子朝下T428系列鉭二氧化錳電容
KEMET發(fā)布新款高容積率（HVE）端子朝下T428系列鉭二氧化錳電容。這些表面貼裝元件提供更好的功率耗散能力和更強(qiáng)的紋波電流承受能力。適合應(yīng)用于電腦、工業(yè)/照明、通信、國(guó)防和航空領(lǐng)域，尤其是高可靠性應(yīng)用，如雷達(dá)和開關(guān)電源的去藕和濾波。
2012-06-08
T428 鉭二氧化錳電容 KEMET 高容積率
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