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單電源運(yùn)放濾波器設(shè)計(jì)
在很多情況中,為了阻擋由于虛地引起的直流電平,在 運(yùn)放的輸入端串入了電容。這個(gè)電容實(shí)際上是一個(gè)高通濾波器,在某種意義上說(shuō),像這樣的單電源運(yùn)放電 路都有這樣的電容。設(shè)計(jì)者必須確定這個(gè)電容的容量必須要比電路中的其他電容器的容量大 100倍以上。 這樣才可以保證電路的幅頻特性不會(huì)受到這個(gè)輸...
2019-07-09
單電源 運(yùn)放濾波器 設(shè)計(jì)
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22張圖帶你看懂開(kāi)關(guān)電源等磁性元器件的分布參數(shù)
功率變換器中的功率磁性元件的作用起到磁能的傳遞和儲(chǔ)能作用,是必不可少的元件。特點(diǎn)是體積大、重量大、損耗大、對(duì)電路性能影響大。并且具有一定的挑戰(zhàn)性,就是對(duì)變換器功率密度影響很大,成為發(fā)展瓶頸。
2019-07-09
開(kāi)關(guān)電源 磁性元器件
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分析MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)如何調(diào)整電路
“為了優(yōu)化外置MOSFET Q1的開(kāi)關(guān)工作,由R16、R17、R18、D17組成一個(gè)調(diào)整電路,用來(lái)調(diào)節(jié)來(lái)自BD7682FJ的OUT引腳的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)(參見(jiàn)電路圖)。這個(gè)電路會(huì)對(duì)MOSFET的損耗和噪聲產(chǎn)生影響,因此需要一邊確認(rèn)MOSFET的開(kāi)關(guān)波形和損耗,一邊進(jìn)行優(yōu)化?!?/p>
2019-07-09
MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng) 調(diào)整電路
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為你的DC-DC轉(zhuǎn)換器選擇最合適的電感(一)
要選擇合適的電感,就需要充分了解電感性能,以及想要達(dá)到的內(nèi)部電路性能是以怎樣的方式與供應(yīng)商數(shù)據(jù)表中的信息相關(guān)聯(lián)的。此文為經(jīng)驗(yàn)豐富的功率轉(zhuǎn)換專(zhuān)家和非專(zhuān)業(yè)人員講解電感目錄和電感的重要規(guī)格。
2019-07-09
DC-DC轉(zhuǎn)換器選 電感
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晶體管以類(lèi)似水龍頭控制水流的方式控制電流
晶體管全稱(chēng)雙極型三極管(Bipolar junction transistor,BJT)又稱(chēng)晶體三極管,簡(jiǎn)稱(chēng)三極管,是一種固體半導(dǎo)體器件,可用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等。
2019-07-08
晶體管 控制電流
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有效回波損耗到底是什么?(二)
在本文的第1部分中,我們看到當(dāng)傳輸速率超過(guò)約30Gbaud時(shí),特別是對(duì)眾所周知的對(duì)噪聲敏感的PAM4(4電平脈沖幅度調(diào)制)信號(hào)來(lái)說(shuō),S參數(shù)掩模要求(圖1)無(wú)法保證“serdes、信道、serdes”之間能夠?qū)崿F(xiàn)互操作。
2019-07-08
有效回波 噪聲敏感
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有效回波損耗到底是什么?(一)
還記得振鈴嗎?也就是由反射引起的、會(huì)影響信號(hào)質(zhì)量的振蕩?想當(dāng)年我們可以假設(shè)信號(hào)在芯片之間傳輸是瞬時(shí)完成的,在那時(shí),這個(gè)問(wèn)題可以通過(guò)阻抗匹配(在MHz頻率時(shí)也不是個(gè)什么大問(wèn)題),或等待它們穩(wěn)定下來(lái)來(lái)解決(圖1)。
2019-07-08
有效回波 損耗
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深度解析Portable Stimulus:UVM集成
PSS和UVM的集成在一起不同于將兩種語(yǔ)言進(jìn)行集成。本文將列出這種集成的基本策略,以盡可能通用的語(yǔ)言來(lái)描述集成的六個(gè)步驟以及本文會(huì)詳細(xì)介紹前三個(gè)步驟。
2019-07-06
Portable Stimulus UVM集成
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電容擊穿是開(kāi)路還是短路?電容擊穿原因是什么?
電容的電介質(zhì)承受的電場(chǎng)強(qiáng)度是有一定限度的,當(dāng)被束縛的電荷脫離了原子或分子的束縛而參與導(dǎo)電,就破壞了絕緣性能,這一現(xiàn)象稱(chēng)為電介質(zhì)的擊穿。
2019-07-06
電容擊穿 開(kāi)路 短路
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