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ESD器件:新接口市場是熱點 集成EMI方案將流行
靜電防護(hù)電路一直是電子工程師必須考慮的一個問題。業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,在未來幾年,計算機(jī)、消費電子等應(yīng)用中的新型接口將對ESD防護(hù)器件產(chǎn)生巨大需求。為此,元器件廠商近期推出了多種新產(chǎn)品應(yīng)對市場的需求。
2009-10-29
ESD 元器件 靜電防護(hù)器件
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回顧我國傳感器行業(yè)50年發(fā)展歷程
我國傳感器行業(yè)已經(jīng)歷了50個春秋,20世紀(jì)80年代,改革開放的春風(fēng)給傳感器行業(yè)帶來了生機(jī)與活力;90年代,在黨和國家關(guān)于“大力加強(qiáng)傳感器的開發(fā)和在國民經(jīng)濟(jì)中普遍應(yīng)用”的決策指引下,傳感器行業(yè)進(jìn)入了新的發(fā)展時期。
2009-10-28
傳感器
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太陽能“處女地” 交通成優(yōu)勢
大陸官方積極推動綠色能源應(yīng)用,內(nèi)需商機(jī)大開,臺灣業(yè)者積極西進(jìn)設(shè)點,看好的就是龐大的內(nèi)需市場商機(jī)。聯(lián)電集團(tuán)這次更大動作把薄膜太陽能電池與系統(tǒng)布局同時押寶山東,更讓臺灣太陽能廠進(jìn)軍大陸受到矚目。
2009-10-27
太陽能 交通 內(nèi)需市場 處女地
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國家將收緊多晶硅項目再融資
國家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)司司長陳斌10月15日表示,為了引導(dǎo)多晶硅產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展,避免產(chǎn)業(yè)過度競爭,促進(jìn)節(jié)能減排,國家將多晶硅產(chǎn)業(yè)列為產(chǎn)能過剩的行業(yè),將控制多晶硅項目的再融資。而最近,中國證監(jiān)會也向國家發(fā)改委移交了部分關(guān)于企業(yè)融資的審查權(quán),以控制多晶硅等企業(yè)的再融資
2009-10-27
國家發(fā)改委 多晶硅 再融資
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ADA4424-6 :ADI推出高性能6通道視頻重建濾波器
日前,Analog Devices, Inc.最新推出一款高性能6通道視頻重建濾波器,使消費類媒體播放器和專業(yè)視頻系統(tǒng)設(shè)計者輕松實現(xiàn)對標(biāo)清 (SD) 乃至高清 (HD) 視頻信號的濾波和驅(qū)動。ADA4424-6 具備三個標(biāo)清和三個增強(qiáng)/高清 (ED/HD) 通道,頻率響應(yīng)極其平坦,在0.1dB 通帶處不出現(xiàn)峰值,這正是1080p 高清媒體播...
2009-10-27
ADI6 通道 濾波器 視頻重建 ADA4424-6
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EMC測試暗室介紹
在安規(guī)測試和各種認(rèn)證測試中電磁兼容的測試必不可少,這些認(rèn)證類的測試對測試的環(huán)境有嚴(yán)格的規(guī)定,只能在專門的實驗機(jī)構(gòu)內(nèi)測試。本文主要講解測試必不可少的測試暗室,和各種測試的手段。
2009-10-26
EMC EMI 測試暗室
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大陸液晶線大布局 3年后面板供過于求
據(jù)悉,大陸目前浮出臺面的8代廠已有6個,根據(jù)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research預(yù)估,若這些8代線真按照計劃進(jìn)行量產(chǎn),預(yù)估在2012年時,大陸將成為全球第2大的8代線生產(chǎn)基地,產(chǎn)能僅次于韓國。
2009-10-26
大陸液晶 面板 供過于求
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基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化的驅(qū)動電路
功率MOSFET具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點,因此在開關(guān)電源,馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實際的設(shè)計過程中,電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注,尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設(shè)計,導(dǎo)致在實際的應(yīng)用中,MOSFET產(chǎn)生一定...
2009-10-26
MOSFET 驅(qū)動電路
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帶有內(nèi)置ESD保護(hù)的MOSFET
CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強(qiáng)模式MOSFET,帶有內(nèi)置的2kV ESD保護(hù)。它帶有兩個獨立的50V,280mA的MOSFET,在每個器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)在50mA,1.8V時是3.0歐姆
2009-10-26
CMLDM7003 MOSFET ESD保護(hù)
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