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測試測量

互聯(lián)家庭產(chǎn)品是2011年消費電子成功的關(guān)鍵

據(jù)IHS iSuppli公司，2010年全球消費電子(CE)產(chǎn)品出貨量將增長2.6%。在互聯(lián)家庭中發(fā)揮作用，并且專注于可用性和在互聯(lián)家庭環(huán)境中的長遠(yuǎn)前途而非技術(shù)魔力的產(chǎn)品，其銷售不斷增長，是推動消費電子產(chǎn)品出貨量增長的因素之一……

2011-01-25

互聯(lián)家庭產(chǎn)品消費電子出貨量 IHS iSuppli 技術(shù)

飛兆半導(dǎo)體任命Dan Kinzer為首席技術(shù)官

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布任命Dan Kinzer擔(dān)任首席技術(shù)官兼高級副總裁 (技術(shù))。在其領(lǐng)導(dǎo)下，飛兆半導(dǎo)體將鞏固公司對技術(shù)創(chuàng)新的專注，進(jìn)一步提升其針對功率電子和便攜應(yīng)用的先進(jìn)產(chǎn)品系列。

2011-01-25

飛兆半導(dǎo)體飛兆半導(dǎo)體首席技術(shù)官任命飛兆半導(dǎo)體新聞

SiA427DJ：Vishay 推出P溝道器件最低導(dǎo)通電阻TrenchFET?功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET? 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。

2011-01-25

SiA427DJ Vishay TrenchFET?功率MOSFET

小電流可控硅固體開關(guān)的研制

本文通過脈沖變壓器隔離控制28個串聯(lián)可控硅（TYNl225），得到了20kV小電流開關(guān)，對固體開關(guān)的串聯(lián)技術(shù)進(jìn)行了試驗研究，并討論了串聯(lián)電路所涉及到的觸發(fā)信號的高壓隔離技術(shù)、驅(qū)動信號同步技術(shù)以及功率器件的動態(tài)靜態(tài)均壓技術(shù)。

2011-01-25

可控硅固體開關(guān) 固體繼電器 SSR

2012年平板電腦出貨量將達(dá)7080萬臺

據(jù)國外媒體報道，市場研究公司IDC表示，2010年平板電腦出貨量達(dá)到1700萬臺，在2011隨著越來越多的技術(shù)公司開始推出各自的平板電腦產(chǎn)品，平板電腦今年的銷量將會比去年增長162%，達(dá)到4460萬臺。2010年蘋果的平板電腦開拓了新的市場領(lǐng)域，憑借iPad獲得平板電腦領(lǐng)域87.4%的市場份額。

2011-01-24

ipad 平板電腦 android 供應(yīng)商 IDC 蘋果亞馬遜

全球最薄內(nèi)藏IC芯片及被動組件的PCB產(chǎn)品出爐

彩色濾光片暨光罩巨擘大日本印刷(DNP)19日發(fā)布新聞稿宣布，為了因應(yīng)行動產(chǎn)品的小型化和高機(jī)能化，該公司已研發(fā)出一款可內(nèi)藏IC芯片以及電容、電阻等被動組件的全球最薄印刷電路板(PCB)產(chǎn)品；該款組件內(nèi)藏式PCB產(chǎn)品將開始提供送樣，并預(yù)計于今(2011)年秋天進(jìn)行量產(chǎn)。

2011-01-24

DNP IC芯片被動組件 PCB 0.28mm

日系鋁電解電容器喊漲

平板計算機(jī)、AIO以及PC換機(jī)潮搶料，整體高檔鋁電解電容器供貨狀況仍呈現(xiàn)吃緊，日系供貨商為反應(yīng)日元升值，元月起決定全面調(diào)漲約8%-10%，同時因部分日系鋁電容廠也在大陸生產(chǎn)，產(chǎn)能恐將受到大陸缺工潮波及，供需缺口恐將擴(kuò)大。預(yù)計日系鋁電容今年價格還將續(xù)漲，第二波漲勢可能會在5、6月間。

2011-01-24

鋁電解電容器供貨吃緊缺工

英飛凌中國全新子公司開業(yè)

英飛凌科技股份有限公司近日宣布其位于中國北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的全新子公司——英飛凌集成電路（北京）有限公司正式開業(yè)。新公司注冊資本1,500萬美元，將進(jìn)一步加強(qiáng)公司對高能效、移動性和安全性的關(guān)注，體現(xiàn)了英飛凌對中國市場的長期承諾。

2011-01-24

英飛凌集成電路北京開業(yè)

CMF20120D：美國科銳投產(chǎn)采用SiC的+1200V耐壓功率MOSFET

美國科銳（Cree）宣布，已經(jīng)投產(chǎn)了采用SiC（碳化硅）材料的+1200V耐壓功率MOSFET“CMF20120D”（英文發(fā)布資料）?？其J是繼2010年12月的羅姆之后第二家宣布投產(chǎn)SiC功率MOSFET的企業(yè)。不過，科銳在發(fā)布資料中稱自己“是業(yè)界第一個投產(chǎn)的”。目標(biāo)用途包括，太陽能發(fā)電用逆變器裝置、高電壓輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器...

2011-01-24

科銳 SiC MOSFET CMF20120D

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