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Avago推出業(yè)內(nèi)第一款面向電壓感應(yīng)優(yōu)化的光隔離放大器
Avago推出新系列光學(xué)隔離電壓傳感器產(chǎn)品，這個系列為業(yè)內(nèi)第一個采用特別面向電壓感應(yīng)優(yōu)化Sigma-Delta調(diào)制技術(shù)的光隔離放大器產(chǎn)品，通過提供1GΩ輸入阻抗和2V輸入電壓范圍的光隔離放大器，簡化電機(jī)驅(qū)動和可再生能源系統(tǒng)設(shè)計。
2012-07-11
Avago 電壓感應(yīng)優(yōu)化 光隔離放大器
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Mouser為Littelfuse TCMOV和SMOV壓敏電阻備貨
近日Mouser Electronics, Inc.宣布現(xiàn)在已經(jīng)為Littelfuse的TCMOV和SMOV系列壓敏電阻備貨。Littelfuse推出的TCMOV和SMOV系列熱保護(hù)壓敏電阻帶微動開關(guān)指示器，可以幫助制造商達(dá)到UL1449（第三版）中規(guī)定的1類或2類電涌保護(hù)器（SPD）應(yīng)用的要求。
2012-07-10
Mouser Littelfuse TCMOV SMOV壓敏電阻
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2012西部電子論壇：高效，節(jié)能和創(chuàng)新
由CNT Networks, 我愛方案網(wǎng) (www.52solution.com) 攜手中國電子展與China Outlook Consulting舉辦的2012年西部電子論壇將攜一系列國際水平技術(shù)研討會再次亮相西部！本屆論壇將先后在西安（8月13-14日，西安志誠麗柏酒店）和成都（8月16日-18日，成都嬌子國際會議中心）兩地舉行，針對西部電子市場...
2012-07-03
2012西部電子論壇
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Torex新增10款高速訊號和電源電路保護(hù)用TVS產(chǎn)品
特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD. 日本東京) 推出瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)，10 項(xiàng)新的系列產(chǎn)品。
2012-06-28
瞬態(tài)電壓抑制器 TOREX 電路保護(hù)
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飛兆針對便攜電子產(chǎn)品的完整電路保護(hù)解決方案
一個簡單的錯誤，例如插入不正確的設(shè)備或ESD和閃電等普通電氣事件，均會導(dǎo)致系統(tǒng)出現(xiàn)故障。好消息是，市場上已經(jīng)有可用的半導(dǎo)體解決方案，能夠幫助制造商保護(hù)其電路設(shè)計免遭上述風(fēng)險。飛兆半利用經(jīng)過驗(yàn)證的先進(jìn)工藝和封裝技術(shù)，推出一系列電路保護(hù)解決方案，為便攜電子產(chǎn)品提供完整的保護(hù)解決方案。
2012-06-27
飛兆 電路保護(hù) 飛兆電路保護(hù)產(chǎn)品
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Vishay推出0.38mm超小型雙向非對稱單線ESD保護(hù)二極管
Vishay推出具有14pF低容量的新款雙向非對稱單線ESD保護(hù)二極管--- VCUT07B1-HD1，該器件采用超小LLP1006-2L封裝，憑借1.0mm x 0.6mm的小占位面積和0.38mm的極小尺寸，可減少在筆記本電腦和智能手機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品中ESD保護(hù)所需的電路板空間。
2012-06-27
Vishay ESD保護(hù)二極管 ESD
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用于汽車高速接口的優(yōu)化ESD保護(hù)新型元件
NXP 半導(dǎo)體的新式 PESD1LVDS，設(shè)計用于保護(hù)車載超高速接口免受 ESD 損壞。
2012-06-27
汽車高速接口 ESD保護(hù) 元件
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Vishay推出超小外形雙向非對稱單線ESD保護(hù)二極管
Vishay推出具有14pF低容量的新款雙向非對稱(BiSy)單線ESD保護(hù)二極管，憑借極小外形尺寸，新的VCUT07B1-HD1可減少在筆記本電腦和智能手機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品中ESD保護(hù)所需的電路板空間。
2012-06-26
ESD保護(hù)二極管 ESD保護(hù) Vishay
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TE電路保護(hù)新品體現(xiàn)出的產(chǎn)品策略
TE電路保護(hù)部門近日推出了兩款新品，一是可經(jīng)受260℃峰值回流焊三次的RTP器件，一是目前業(yè)界最低電容的硅基ESD器件。筆者認(rèn)為，從這兩款器件的特點(diǎn)可以看出TE電路保護(hù)走的路線，分別可以歸納成創(chuàng)新和極致。
2012-06-26
TE電路保護(hù)部門近日推出了兩款新品 一是可經(jīng)受260℃峰值回流焊三次的RTP器件 一是目前業(yè)界最低電容的硅基ESD器件。筆者認(rèn)為 從這兩款器件的特點(diǎn)可以看出TE電路保護(hù)走的路線 分別可以歸納成創(chuàng)新和極
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