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電路保護(hù)

在LVDS 接口中加入TVS保護(hù)，防止靜電干擾

LVDS 數(shù)據(jù)線連接廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)信號傳輸，例如，在商用打印機(jī)或者LCD 面板與轉(zhuǎn)接板的連接。這些應(yīng)用需要TVS保護(hù)是由于使用了敏感的IC 器件，因此在信號線增加的TVS要方便走線。

2012-12-28

LVDS 接口 TVS保護(hù) 靜電干擾

新型時鐘開關(guān)保護(hù)器件，讓PCIe免受ESD損傷

保護(hù)敏感高速數(shù)據(jù)線路免受靜電放電(ESD)損傷是PCIe應(yīng)用的重要考慮因素。安森美半導(dǎo)體推出新的時鐘及數(shù)據(jù)、開關(guān)及保護(hù)器件,支持PCI Express應(yīng)用,新的扇出緩沖器、差分開關(guān)及穿越型封裝ESD保護(hù)器件彰顯安森美半導(dǎo)體用于服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)及ATE應(yīng)用的PCIe 3.0技術(shù)。

2012-12-28

安森美 ESD PCIe應(yīng)用

LED保護(hù)器件持久戰(zhàn)，如何抓住機(jī)遇

保護(hù)器件不是簡單具有保護(hù)功能就可以獲得認(rèn)可，而要不斷因應(yīng)市場需求，在保持性能不變的前提下，不斷縮小體積，朝著機(jī)器裝配的方向發(fā)展。市場需求總是不斷提升的，這也給我們電路保護(hù)行業(yè)帶來了機(jī)會，誰能不斷滿足新的市場需求，誰就能持續(xù)走在行業(yè)的前端。

2012-12-28

LED 保護(hù)器件 AEM

TVS主要特性參數(shù)和運(yùn)用注意事項

當(dāng)TVS的兩端受到反向瞬態(tài)過壓脈沖時，能以極高的速度把兩端間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，以吸收瞬間大電流，并將電壓箝制在預(yù)定數(shù)值，從而有效保護(hù)電路中的元器件免受損壞。本文講述了TVS器件的主要特性參數(shù)和選用注意事項，同時給出了TVS在電路設(shè)計中的應(yīng)用方法。

2012-12-28

TVS 主要特性運(yùn)用

從七個方面詳解電感，工程師必備

電感是電子電路技術(shù)中非常重要的器件，電感的基本作用為濾波、振蕩、延遲和陷波等，熟知電感的參數(shù)、類型和磁芯磁環(huán)，對電感的選型有很大的幫助。

2012-12-28

電感基礎(chǔ)知識作用分類

可降低成本，適合低壓高效轉(zhuǎn)換的開關(guān)穩(wěn)壓器

圣邦微電子推出的新一代同步升壓開關(guān)穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍為2.7V ~ 5.5V，工作效率高達(dá)90%以上。SGM6605的工作開關(guān)頻率為1.2MHz，推薦電感值在2.2μH ~ 10μH范圍內(nèi)，開關(guān)管內(nèi)置，從而減少了外圍元件的數(shù)目，降低了成本，非常適合低壓高效轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。

2012-12-28

降低成本高效轉(zhuǎn)換開關(guān)穩(wěn)壓器

中科院研制出可提升中國國產(chǎn)IC的競爭力的MOSFET組件

中科院電子研究所在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個數(shù)量級以及金屬閘主動功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進(jìn)一步提升的22nm MOSFET 組件。

2012-12-28

中科院 MOSFET組件 22奈米

適用于移動設(shè)備的LDO穩(wěn)壓器

東芝推出采用微CMOS工藝的新款LDO穩(wěn)壓器，新款穩(wěn)壓器還包括一個高速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)電路和低噪音電路。除了過流保護(hù)、過溫保護(hù)和輸出自動放電等基本功能外，這些300mA輸出LDO穩(wěn)壓器還可限制浪涌電流，適用于多種應(yīng)用，尤其是移動設(shè)備。

2012-12-27

移動設(shè)備穩(wěn)壓器微CMOS工藝

具有限流檢測功能、過熱保護(hù)功能和軟啟動功能的開關(guān)穩(wěn)壓器

圣邦微電子提供可耐壓38V的新款非同步降壓開關(guān)穩(wěn)壓器。該產(chǎn)品具有周期輪詢限流檢測功能、過熱保護(hù)功能和軟啟動功能，以及可以規(guī)避由于輸入電壓不穩(wěn)帶來的系統(tǒng)誤操作的欠壓鎖定功能。帶散熱焊盤的SOIC-8封裝，可以極大改善整個芯片的散熱能力。

2012-12-27

開關(guān)穩(wěn)壓器限流檢測過熱保護(hù) 軟啟動