
舉例說明:消除全橋逆變IGBT電壓尖峰的方法
發(fā)布時(shí)間:2014-12-20 責(zé)任編輯:sherryyu
【導(dǎo)讀】電子工程師都知道要消除全橋逆變IGBT電壓尖峰一般用的都是無感電容,但是理論知識(shí)了解不代表實(shí)踐中也能解決,問題來了,這樣的無感電容要選擇多大呢?本文就結(jié)合實(shí)例給出大家方法。
全橋逆變器中的IGBT電壓尖峰,通常來說都需要使用無感電容來消除。但是究竟該使用多大的無感電容卻是一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的問題,本篇文章就舉例說明了IGBT的電壓尖峰消除問題。

圖1
從圖1中能夠看到,尖峰已經(jīng)達(dá)到穩(wěn)定輸出電壓的二倍,并且這個(gè)IGBT的功率并不高,只有75A。接下來就看看如何消除尖峰。
需要做的很簡(jiǎn)單,就是調(diào)整反并在IGBT上的二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。
IGBT沒有結(jié)構(gòu)上需要的體二極管,出于安全考慮(避免反向擊穿),一般IGBT內(nèi)部都反向并聯(lián)了一只二極管,隨著現(xiàn)代開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展,軟開關(guān)得到普遍應(yīng)用,要求這只二極管具有很好的反向恢復(fù)特性,所以現(xiàn)在的IGBT內(nèi)并聯(lián)的二極管反向恢復(fù)特性越來越好。但是如果用這種IGBT做硬開關(guān),因?yàn)槁└械纫蛩卦贑E上,產(chǎn)生的尖峰電壓通過二極管反向恢復(fù)通道泄放的時(shí)間太短,造成剩余能量太多,就會(huì)出現(xiàn)尖峰過高的問題。
此時(shí)就要再并聯(lián)一個(gè)4007,但是有三點(diǎn)需要注意。
第一、這個(gè)并聯(lián)要求二極管的反向恢復(fù)時(shí)間恰到好處,如果覺得4007不合適,可以換別成其他型號(hào)的二極管試試。
第二、如果覺得4007的電流太小不放心,就2只4007串了以后再與IGBT反并,這樣主反向電流就只走原來的二極管了,只有電壓尖峰才走4007的反向恢復(fù)通道。
第三、如果由于反向恢復(fù)電流(即吸收電流)太大而效率降低二極管發(fā)熱,就需要考慮驅(qū)動(dòng)方式了,讓上下管錯(cuò)開驅(qū)動(dòng)時(shí)間,避免同步驅(qū)動(dòng)引起的二極管反向恢復(fù)直通引起的損耗。
這里說的主要是關(guān)閉時(shí)的電壓尖峰,以前用MOS做全橋一般不會(huì)出現(xiàn)這個(gè)問題,因?yàn)镸OS的體二極管反向恢復(fù)時(shí)間足夠長(zhǎng),原因在這里。
特別推薦
- 成本與性能的平衡:振蕩線圈技術(shù)深度解析與選型建議
- 十一月上海見!106屆中國(guó)電子展預(yù)登記開啟,共探產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇
- 清潔電器智能化升級(jí):MCU芯片性能成差異化競(jìng)爭(zhēng)核心
- Cadence與NVIDIA強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,數(shù)字孿生平臺(tái)新模型助推AI數(shù)據(jù)中心高效部署
- 偏轉(zhuǎn)線圈技術(shù)解析:從基礎(chǔ)原理到選型要?jiǎng)t的全景指南
技術(shù)文章更多>>
- Spectrum推出多通道GHz數(shù)字化儀,最高支持12通道
- 安森美破解具身智能落地難題,全鏈路方案助推機(jī)器人產(chǎn)業(yè)化
- AMD 推出 EPYC? 嵌入式 4005 處理器,助力低時(shí)延邊緣應(yīng)用
- 機(jī)電執(zhí)行器需要智能集成驅(qū)動(dòng)器解決方案以增強(qiáng)邊緣智能
- 廣東國(guó)際水處理技術(shù)與設(shè)備展覽會(huì)邀請(qǐng)函
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索