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實施混合式數(shù)據(jù)分析平臺的三個步驟
過去八年間，數(shù)據(jù)中臺及其“統(tǒng)一數(shù)據(jù)、統(tǒng)一服務(wù)、統(tǒng)一身份（One data, one service, one ID）”理念的廣泛采用，推動了中心化數(shù)據(jù)平臺和職責(zé)的普及。2023年Gartner中國CIO調(diào)研顯示，80%的中國受訪者依賴中心化IT部門來提供IT架構(gòu)能力、數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)安全標(biāo)準(zhǔn)和政策。
2023-09-21
數(shù)據(jù)分析 平臺 Gartner
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第102屆中國電子展—眾多集成電路優(yōu)質(zhì)企業(yè)“大放異彩”
集成電路作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)與核心，被譽(yù)為“現(xiàn)代工業(yè)的糧食”，在電子設(shè)備、通訊、特種電子等方面得到廣泛應(yīng)用，對經(jīng)濟(jì)建設(shè)、社會發(fā)展和國家安全具有重要的戰(zhàn)略意義。受益消費(fèi)電子、PC等市場蓬勃發(fā)展，以及國產(chǎn)替代不斷推進(jìn)，國內(nèi)集成電路市場規(guī)模不斷擴(kuò)張。數(shù)據(jù)顯示，2021年我國集成電路產(chǎn)量達(dá)359.4...
2023-09-21
集成電路 電子設(shè)備 通訊 特種電子
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AMD蘇姿豐：AI對未來芯片設(shè)計十分重要，已列為戰(zhàn)略重點(diǎn)
據(jù)wccftech消息，AMD CEO蘇姿豐參加了在上海舉行的2023世界人工智能大會（WAIC），她在大會上表示，人工智能技術(shù)是未來芯片開發(fā)的發(fā)展方向，可以在測試和驗證階段提供幫助。
2023-09-21
AMD AI 芯片設(shè)計
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長電科技鄭力：高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革
第24屆電子封裝技術(shù)國際會議(ICEPT2023)于近日在新疆召開,來自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂,共話先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國際合作。長電科技董事、首席執(zhí)行長鄭力出席會議,發(fā)表《高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革》主題演講。
2023-09-21
長電科技 先進(jìn)封裝 微系統(tǒng)
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格康電子洽談浮動板對板連接器優(yōu)勢
“我們格康電子是做板對板連接器產(chǎn)品起步的，在連接器生產(chǎn)領(lǐng)域有近25年的研產(chǎn)經(jīng)驗，最早是從工業(yè)領(lǐng)域起步，現(xiàn)在逐漸擴(kuò)展到汽車、通信等多個領(lǐng)域?！备窨惦娮涌萍加邢薰?以下簡稱“格康電子”)副總經(jīng)理謝英吉與記者談到。
2023-09-21
格康電子 板對板 連接器
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如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用？
如今，越來越多的設(shè)計人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。
2023-09-20
氮化鎵 晶體管
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LDO穩(wěn)壓器綜合指南：噪聲、折衷方案、應(yīng)用和趨勢
本文介紹 LDO穩(wěn)壓器選型 時幾個不太注意的關(guān)鍵參數(shù)。還針對特殊低噪聲要求，將開關(guān)穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器進(jìn)行了比較。此外還討論了行業(yè)趨勢，以及介紹需要高性能LDO穩(wěn)壓器的應(yīng)用。
2023-09-20
LDO穩(wěn)壓器 噪聲 趨勢
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IO Link在工業(yè)的應(yīng)用及國產(chǎn)過壓保護(hù)設(shè)計
目前ST的IO Link應(yīng)用廣泛，ST使用的是型號為STM32F76的MCU?？梢岳盟鼇碇С忠蕴W(wǎng)或者現(xiàn)場的工業(yè)網(wǎng)絡(luò)總線。這個板上還有USB口，它可以連接電腦，使用TEConcept的IO-Link tool、IO-Link control Tool進(jìn)行測試和配置。同時，這板上還有ST的L6360芯片。
2023-09-19
IO Link 工業(yè)應(yīng)用 過壓保護(hù)
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如何在有限空間里實現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個好方法！
SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。
2023-09-18
高性能 RDS(On) 表面貼裝
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