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賽維LDK與印度光伏老大簽5年供應(yīng)合同
剛剛成為全球最大硅片生產(chǎn)商的賽維LDK太陽(yáng)能有限公司(下稱(chēng)“賽維LDK”)昨日宣布,公司近日與印度的XL Telecom & Energy公司簽訂了為期5年的太陽(yáng)能多晶硅片供應(yīng)合同。后者是印度最大的太陽(yáng)能企業(yè)。
2008-08-20
多晶硅 太陽(yáng)能
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VCS1625Z :Vishay改進(jìn)的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進(jìn)的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻,這些電阻在 -55°C~+125°C(+25°C 參考點(diǎn))時(shí)具有 ±2 ppm/°C 的軍用級(jí)典型 TCR、±0.005% 的容差,以及超過(guò) 10,000 小時(shí)的 ±0.005% 負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔電阻 軍事航空
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VCS1625Z :Vishay改進(jìn)的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進(jìn)的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻,這些電阻在 -55°C~+125°C(+25°C 參考點(diǎn))時(shí)具有 ±2 ppm/°C 的軍用級(jí)典型 TCR、±0.005% 的容差,以及超過(guò) 10,000 小時(shí)的 ±0.005% 負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔電阻 軍事航空
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VSMP0603:Vishay Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻
Vishay宣布推出新型 VSMP0603超高精度Bulk Metal Z 箔卷型表面貼裝電阻。典型的 0603 電阻經(jīng)過(guò) 1000 小時(shí)工作負(fù)荷后負(fù)載壽命穩(wěn)定性 ≥0.1%,Vishay 新型器件在這方面已大幅改進(jìn),在額定功率、溫度 70oC 情況下工作 2000 小時(shí)負(fù)載壽命穩(wěn)定性為 ±0.005%。
2008-08-13
VSMP0603 表面貼裝電阻 軍用級(jí)
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S系列:Vishay改進(jìn)的軍用級(jí)高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進(jìn)的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻,這些電阻在 -55°C~+125°C(+25°C 參考點(diǎn))時(shí)具有 ±2 ppm/°C 的軍用級(jí)典型 TCR、±0.005% 的容差,以及超過(guò) 10,000 小時(shí)的 ±0.005% 負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-30
箔電阻 S系列 軍用級(jí)
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DS7505:Maxim新±0.5°C精度的溫度傳感器
Maxim推出帶有EEPROM的±0.5°C精度數(shù)字溫度傳感器和溫度調(diào)節(jié)器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時(shí)能夠運(yùn)行用戶(hù)設(shè)定的配置和溫度調(diào)節(jié)門(mén)限。DS7505與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的LM75和Maxim的DS75軟件且引腳兼容,是基站、電信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和醫(yī)療系統(tǒng)等需要高精度溫度測(cè)量應(yīng)用的理想選擇。
2008-07-24
DS7505 數(shù)字溫度傳感器 溫度調(diào)節(jié)器
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TDK中國(guó)營(yíng)業(yè)統(tǒng)括部統(tǒng)括部長(zhǎng)南研造接受媒體專(zhuān)訪(fǎng):提高耐熱性是被動(dòng)元件發(fā)展的一個(gè)新方向
1935年,鐵氧體的發(fā)明人,當(dāng)時(shí)任教日本東京工業(yè)大學(xué)電化學(xué)系的加藤與五郎博士和武井武博士創(chuàng)立了東京電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社,從事磁性材料的商業(yè)開(kāi)發(fā)和運(yùn)營(yíng)。1983年,該公司正式更名為T(mén)DK株式會(huì)社,取的是原名稱(chēng)Tokyo(東京) Denki(電氣) Kagaku(化學(xué))的首字母(中文公司譯名:東電化)。
2008-07-17
被動(dòng)元件
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TG-5005CG:Epson Toyocom搭載了QMEMS印制蝕刻芯片的小型TCXO
Epson Toyocom公司開(kāi)始批量生產(chǎn)針對(duì)手機(jī)終端的GPS,在小型且高精度TCXO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)TG-5005CG中搭載了使用QMEMS技術(shù)制作的印制蝕刻芯片的產(chǎn)品。
2008-07-16
TG-5005CG TCXO 溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
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VSA101:Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C~+60°C 以及 -55°C~+125°C的溫度范圍內(nèi)分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對(duì) TCR、額定功率時(shí) ±5 ppm 的出色 PCR(“?R,由于自加熱”)、±0.005% 的容差,以及 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級(jí)
- 成本與性能的平衡:振蕩線(xiàn)圈技術(shù)深度解析與選型建議
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