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安森美半導(dǎo)體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號： ONNN )宣布榮獲全球領(lǐng)先的無線通訊技術(shù)產(chǎn)品和服務(wù)提供商龍旗控股(簡稱“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應(yīng)商”獎。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎
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安森美半導(dǎo)體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號： ONNN )宣布榮獲全球領(lǐng)先的無線通訊技術(shù)產(chǎn)品和服務(wù)提供商龍旗控股(簡稱“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應(yīng)商”獎。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎
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安森美半導(dǎo)體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號： ONNN )宣布榮獲全球領(lǐng)先的無線通訊技術(shù)產(chǎn)品和服務(wù)提供商龍旗控股(簡稱“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應(yīng)商”獎。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導(dǎo)體 ST MOSFET MDmesh? V
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導(dǎo)體 ST MOSFET MDmesh? V
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導(dǎo)體 ST MOSFET MDmesh? V
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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