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能源電力

GS湯淺將新建鋰電池工廠(chǎng)并“計(jì)劃2012年春季正式投產(chǎn)”

日本GS湯淺（GS Yuasa）宣布，將在滋賀縣栗東市建設(shè)鋰離子充電電池工廠(chǎng)。該公司已于2009年11月16日為獲得土地而與栗東市開(kāi)始交涉。該公司公關(guān)部介紹說(shuō)，計(jì)劃2010年10月開(kāi)工建設(shè)，“2012年春季正式投產(chǎn)”。

2009-11-26

GS湯淺鋰電池工廠(chǎng) 正式投產(chǎn) 2012

三年后我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)全球最牛將趕超美國(guó)

畢馬威合伙人加利·馬圖薩克表示：“中國(guó)作為終端用戶(hù)市場(chǎng)，將變得越來(lái)越重要?！彼硎?，傳統(tǒng)上中國(guó)是制造業(yè)大國(guó)，不是消費(fèi)大國(guó)，但他預(yù)計(jì)，三年后中國(guó)市場(chǎng)將高出美國(guó)市場(chǎng)近1倍。

2009-11-26

畢馬威半導(dǎo)體市場(chǎng) 全球最牛趕超美國(guó)

群創(chuàng)、奇美與統(tǒng)寶通過(guò)三合一合并方案

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球第二大電腦顯示器制造商群創(chuàng)光電上周五傍晚發(fā)布重大消息稱(chēng)，該公司近日與奇美電子及統(tǒng)寶光電同步召開(kāi)臨時(shí)董事會(huì)，通過(guò)三合一合并案。三家公司預(yù)計(jì)明年元月6日召開(kāi)股東臨時(shí)會(huì)通過(guò)合并案，三合一合并基準(zhǔn)日為明年4月30日。

2009-11-26

群創(chuàng) 奇美統(tǒng)寶合并方案

IMEC開(kāi)發(fā)的硅納米線(xiàn)太陽(yáng)能電池使轉(zhuǎn)換效率達(dá)30％以上

在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，瞄準(zhǔn)下下代太陽(yáng)能電池的各種構(gòu)想不斷涌現(xiàn)。其中一種設(shè)想是在底板上排列細(xì)線(xiàn)狀的硅（硅納米線(xiàn)）。包括美國(guó)通用電氣（General Electric）在內(nèi)，目前世界各地都在進(jìn)行開(kāi)發(fā)。

2009-11-25

IMEC 太陽(yáng)能電池硅納米線(xiàn) EUV曝光

最先進(jìn)液晶面板線(xiàn)項(xiàng)目啟動(dòng) 投資逾200億

總投資達(dá)二百四十五億元的深圳市第八點(diǎn)五代薄膜晶體管液晶顯示器件生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目，十六日在深圳高交會(huì)上宣布正式啟動(dòng)，標(biāo)志著中國(guó)主要依靠自主創(chuàng)新建設(shè)、中國(guó)內(nèi)地迄今最高世代液晶面板生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目落戶(hù)深圳。

2009-11-25

液晶面板線(xiàn) 最先進(jìn) TFT-LCD

FDFMA2P859T:飛兆半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)經(jīng)理合作，開(kāi)發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿(mǎn)足對(duì)電池充電和功率多工(power-multiple...

2009-11-25

飛兆半導(dǎo)體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET

中國(guó)電子報(bào)：今年第三季度是半導(dǎo)體業(yè)拐點(diǎn)

近日，企業(yè)第三季度財(cái)報(bào)紛紛出籠，產(chǎn)業(yè)好轉(zhuǎn)趨勢(shì)進(jìn)一步明朗化。但由于企業(yè)上升動(dòng)力不足，產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)“V型”反彈的可能性不大，應(yīng)該會(huì)在振蕩中上升。

2009-11-25

第三季度半導(dǎo)體業(yè) 拐點(diǎn) 中國(guó)電子報(bào)

Vishay擴(kuò)展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)大了符合美軍標(biāo)MIL-PRF-55342認(rèn)證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強(qiáng)型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強(qiáng)后的器件使高可靠性應(yīng)用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差...

2009-11-25

Vishay 擴(kuò)展可靠性貼片電阻范圍